Samsung masseproduserer bransjens minste DDR5 DRAM, kunngjorde selskapet tirsdag.
Den nye 14nm EUV DDR5 DRAM er bare 14 nanometer og har fem lag med ekstrem ultrafiolett (EUV) teknologi. Den kan nå hastigheter på opptil 7,2 gigabit per sekund, som er mer enn dobbelt så høy som DDR4. Samsung hevder også at den nye EUV-teknologien deres gir DDR5 DRAM den høyeste bittettheten, samtidig som den øker produktiviteten med 20 % og reduserer strømforbruket med 20 %.
EUV blir mer og mer viktig ettersom DRAM stadig krymper i størrelse. Det bidrar til å forbedre mønsternøyaktigheten, noe som er nødvendig for høyere ytelse og større utbytte, sa Samsung.14nm DDR5 DRAMs ekstreme miniatyrisering var ikke mulig før bruk av den konvensjonelle argonfluorid (ArF) produksjonsmetoden, og selskapet håper den nye teknologien vil bidra til å møte behovet for større ytelse og kapasitet innen felt som 5G og kunstig intelligens.
Fremover sa Samsung at de ønsker å lage en 24Gb 14nm DRAM-brikke for å møte kravene til globale IT-systemer. Den planlegger også å utvide sin 14nm DDR5-portefølje til å støtte datasentre, superdatamaskiner og bedriftsserverapplikasjoner.
